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三维集成技术在垂直方向上依靠微凸点结构堆叠芯片能够有效缩短芯片间互连间距，首套由此建立了基于先进封装延续摩尔定律的新方向。主持国家自然科学基金3项，房商否提省级和产学研横向项目10余项。

而无凸点的Cu/SiO2混合键合技术通过平面化Cu电极直接键合代替微凸点，贷利贷需能够将互连节距缩减至1µm以内，贷利贷需为多功能集成提供了前所未有的可行性和灵活性。率降理性【文章链接】KangQ,LiG,LiZ,etal.Surfaceco-hydrophilizationviaammoniainorganicstrategyforlow-temperatureCu/SiO2 hybridbonding.JournalofMaterialsScienceTechnology,2023,149:161-166. (https://doi.org/10.1016/j.jmst.2022.12.012)Li,G,Kang,Q,Niu,F,Wang,C.RecentprogressonbumplessCu/SiO2 hybridbondingfor3Dheterogeneousintegration. MicroelectronicsInternational,2023,40(2):115-131.(https://doi.org/10.1108/mi-07-2022-0121)牛帆帆,杨舒涵,康秋实,王晨曦.面向三维集成的等离子体活化键合研究进展.电子与封装,2023,23(3):030105. (https://doi.org/10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0064)（特邀综述）本文由作者供稿 。Cu-Cu键合界面在亲水官能团的帮助下，至41专通过脱水缩合在200℃下实现无空隙界面。

为了进一步明确亲水性结构的化学成分，前还通过X射线光电子能谱对Cu和SiO2表面化学状态进行表征。相比之下，选择仅浸泡NH4OH的Cu表面没有观察到表面氧化或平滑。

济南已授权国家发明专利4项（其中一项与华为公司共同申请）。

图2Cu/SiO2混合表面活化前后三维形貌如图3所示，首套通过对活化前后Cu和SiO2表面能进行测试，首套可以发现经过Ar/O2等离子体→NH4OH两步协同活化能够有效地将Cu和SiO2表面润湿角分别降低至19.6°和2°，证明表面形成了亲水性化学结构。房商否提（d）Pt/C和R-NF-Pt的高分辨率Pt4fXPS光谱。

贷利贷需（b）R-NF-Pt||NiFe-LDH和商用Pt/C||RuO2用于水分解的极化曲线。率降理性（c）金属和非金属元素轨道变化示意图。

（e）吸附在Pt和Pt/NiOx-OV上的*H2O、至41专*OH-H、*OH和H*的几何构型。前还本研究为设计高效催化应用的高性能单片电极提供了一种新的方法。